序 （师昌绪）
中国共产党党员，中国科学院院士，中国著名半导体材料学家、物理学家，中国半导体材料科学与技术的奠基人和开拓者，中国科学院半导体研究所研究员林兰英院士因病医治无效，于2003年3月4日13时36分在北京逝世，享年85岁。
林兰英院士1918年2月7日出生，福建省莆田县人。她1940年毕业于福建协和大学，1955年获美国宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位；1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员、副所长，1980年当选为中国科学院院士，担任中国共产党第十二次全国代表大会代表、中华全国青年联合会（简称全国青联）第四届委员会副主席，第二、第三、第四届中国科协副主席，第三、第四、第五、第六、第七、第八届全国人民代表大会（简称全国人大）代表，第三、第七、第八届全国人民代表大会常务委员会（简称全国人大常委会）委员。林兰英院士怀着对祖国和人民的无限热爱，怀着建设新中国的强烈愿望，放弃国外优越的科学实验条件和优厚的物质生活待遇，毅然冲破重重阻挠，回到了自己的祖国，满腔热情地投身于祖国科学技术研究事业。刚回国时，面对简陋的实验条件、微薄的科研经费，她没有灰心，仍然对科研工作充满信心。她说：“我们要有民族自尊心、爱国心、高度责任感，敢于向世界水平冲击”， “要有自力更生精神，有敢于走自己道路的勇气”。她和同事们同心同德、艰苦奋斗、锲而不舍、锐意进取，对我国研制成功锗、硅元素半导体单晶材料，锑化镓、锑化铟、砷化镓和磷化镓等化合物半导体材料作出了重要贡献，在开拓我国太空砷化镓单晶材料的实验与特性研究方面成绩卓著，被人们誉为“中国太空材料之母”。
林兰英院士胸怀大志，脚踏实地，坚忍不拔，勇攀科学高峰。她不仅勤奋、扎实、深入地学习和钻研数学、物理等学科理论，更重视实践，并在实践中不断探索。她在向科学进军的崎岖道路上，不畏艰难险阻，奋勇当先。她曾说过：“我们科学工作者，不怕起点低，只要有信心、有毅力去研究，以科学的态度对待科学的问题，一定能如愿以偿，做出高水平的研究成果来。”在她的指导和组织下，她和同事们创造出许多个“中国第一”：第一根硅单晶、第一根无位错硅单晶、第一台高压单晶炉、第一根磷化镓（GaP）单晶、第一片单异质SOI （绝缘衬底上的硅）结外延材料和第一片双异质SOI外延材料等。她指导的在太空卫星上从溶体中生长出砷化镓（GaAs）单晶，在世界上首先取得成功。她指导的高纯GaAs液相外延和气相外延材料研究，达到国际先进水平。她还组织研制出世界第一台双离子束外延设备。林兰英院士还致力于将科学技术转化为现实的生产力，为半导体材料研究成果的产业化不辞辛劳，多方奔波。林兰英这三个字将永远与我国科学技术的发展历史联系在一起。前国务委员，中国科学院党组书记、副院长张劲夫同志在他所著的《请历史记住》一书中，回顾了林兰英院士对“两弹一星”作出的重要贡献。
林兰英院士希望科学事业后继有人、群星璀璨，因此甘为人梯、培养人才。40多年来，她倾注心血，精心指导，培养出一大批半导体物理和材料的高水平的科研和教学人才。她十分重视培养年轻人爱祖国、爱人民、爱科学的思想；她重视培养年轻人的战略思维；她总是倡导学术自由，热情鼓励、大力支持年轻人大胆创新；她总是身体力行，以严谨求实、一丝不苟的行为影响和教育年轻人，因而在她的周围已经形成了一个老中青三代和谐结合在一起的研究集体。林兰英院士顾全大局，以事业为重，团结合作，注重发挥集体的智慧去攻克科学技术的难关。在她指导和组织完成的许多项科研工作中，与院内外很多研究单位有过协作，关系都非常和谐、融洽，形成凝聚力，取得丰硕科研成果。林兰英院士把毕生的精力献给了我国半导体科学事业。在她的不懈努力和推动下，我国的半导体科学技术研究与开发工作取得了举世瞩目的成就。她的逝世是我国科学和教育事业的一大损失。
林兰英院士不仅是一位出色的科学家，也是一位合格的社会活动家。她从来不把各种社会职务作为荣誉来炫耀，而是认认真真地履行应尽的职责。例如，在担任全国人大常委会委员期间，她主动了解社会，反映社情民意，为维护广大群众的利益大声疾呼，为发展科学事业献言立论，为社会主义民主法制建设献计献策。林兰英院士在攀登科学高峰的历程中，不仅取得了丰硕的科研成果，而且留下了令人敬仰的高尚品德。她有强烈的爱国主义精神和民族自尊心，顽强拼搏，自强不息；她不为名，不为利，一心为事业，一心为人民；她胸怀坦荡，光明磊落，刚强正直，表里如一；她谦虚谨慎，虚怀若谷，宽以待人，团结合作；她艰苦朴素，勤俭节约，严于律己，廉洁奉公；她献身科学，埋头苦干，鞠躬尽瘁，死而后已。这些优秀思想品质是她留给我们的宝贵精神财富。
林兰英院士带着拳拳赤子之心，带着对我国半导体科学事业的不懈追求，也带着我们无尽的哀思与眷恋离去了。但是，她开创的半导体科学事业将继续服务于人民，服务于社会主义现代化建设；她崇高的思想品质将继续在我国科学技术事业发展过程中发扬光大。
